Наверх

Жесткий SSD диск Samsung MZ-N5E500BW

Производитель: Samsung |  Модель: MZ-N5E500BW |  Код товара: 22499 |  В заметки |  В сравнения Рейтинг:  Отзывов: 0  Отзывов: 0

(MZ-N5E500BW) Изображение 1 (MZ-N5E500BW) Изображение 2 (MZ-N5E500BW) Изображение 3 (MZ-N5E500BW) Изображение 4 (MZ-N5E500BW) Изображение 5
71 910  ₸
Нет в наличии
Количество:  
Хотите купить Samsung MZ-N5E500BW, но не хотите разбираться с процессом покупки?
Оставьте ваш номер телефона. Менеджер свяжется с вами и оформит заказ.
Жесткий SSD диск Samsung (MZ-N5E500BW) 500Gb SATA 6Gb/s M.2

Доставка 

Бесплатно по Алматы

Гарантия 

Уточняйте у менеджера

Оплата 

Наличными, безналичными

Технические характеристики

Интерфейс
Подключение
SATA 6Gbit/s
Разъем M.2
да
Внешняя скорость передачи данных
600 Мб/с
Механика/Надежность
Время наработки на отказ
1500000 ч
Ударостойкость при хранении
1500 G
Общие характеристики
Контроллер
Samsung MGX
Линейка
SSD 850 EVO
Поддержка секторов размером 4 Кб
есть
Тип флэш-памяти
3D V-NAND
Тип
SSD
Назначение
для ноутбука и настольного компьютера
Характеристики накопителя
Объем
500 Гб
Объем буферной памяти
512 Мб
Скорость записи/Скорость чтения
500/540 Мб/с
Скорость случайной записи (блоки по 4Кб)
89000 IOPS
Дополнительно
Вес
7 г
Размеры (ШхВхД)
22.15x2.38x80.15 мм
Шифрование данных
есть

Описание

Особенности технологии 3D V-NAND
В обычной флэш-памяти типа NAND ячейки, в которых хранится информация, плоские. Такую память просто изготавливать, но она обладает рядом недостатков: для повышения ёмкости чипа приходится уменьшать размеры ячеек, что увеличивает их влияние друг на друга и снижает надёжность хранения информации. SSD накопители Samsung изготавливаются с использованием инновационной архитектуры 3D V-NAND, в которой ячейки имеют цилиндрическую форму, устраняющую влияние их друг на друга, а увеличение ёмкости достигается за счёт расположения их в несколько слоёв — без ущерба для надёжности хранения данных и скорости работы. Чипы памяти в накопителях серии 850 EVO имеют 32 слоя ячеек, расположенных друг над другом. Такая конструкция позволяет создать память, одновременно ёмкую, быструю и надёжную.

Уникальная технология TurboWrite - непревзойдённая скорость обмена данными
Обеспечьте максимальную скорость чтения / записи, для оптимизации скорости выполнения рутинных задач с технологией TurboWrite от компании Samsung. По сравнению с серией 840 EVO, накопители серии EVO 850 показывают на 13%* более высокий уровень производительности, благодаря более высокой скорости (около 2-х раз) случайной (random) записи** Они так же обеспечивают высочайшую производительность в своем классе и с последовательной (sequential) скоростью чтения и записи, обеспечивая результат в 540 МБ/с и 520 MБ/с соответственно. Наслаждайтесь оптимизированной случайной (random) производительностью на всех диапазонах глубины очереди (QD) на ПК.

Переключитесь на высшую передачу в режиме RAPID
Накопители серии 850 EVO с интерфейсом M.2 - настоящие скоростные болиды. Последняя версия программы Samsung Magician позволит вам ещё больше увеличить скорость работы вашего накопителя, включив режим RAPID. Он способен задействовать до 25% свободной оперативной памяти (DRAM) вашего компьютера в качестве интеллектуального кэша. В режиме RAPID скорость передачи данных, а так же скорость чтения со случайной (random) выборкой возрастает до 2-х* раз по сравнению с обычным режимом.

Надёжность подкреплённая технологией 3D V-NAND
SSD накопители серии 850 EVO гарантируют надёжность и долговечность за счёт удвоения жизненного цикла Total Bytes Written (TBW) в сравнении с предыдущим поколением накопителей серии 840 EVO* , что подтверждается 5-и летней гарантией на устройства. А учитывая среднее повышение производительности (Sustained Performance)** до 30%, накопители серии 850 EVO становятся одними из самых надежных решений для хранения данных.

Энергоэффективность при поддержке 3D V-NAND
Накопители серии 850 EVO позволят вашему ноутбуку работать не только быстрее, но и дольше, благодаря поддержке специального режима сна (при котором устройство потребляет всего лишь 2 мВт), а так же наличию инновационной 3D V-NAND технологии, которая требует на 50% меньше энергии в сравнении с традиционными 2D NAND устройствами, что обеспечивает вам до 25% энергоэффективности при операциях записи*.

Отзывы

Фото

(MZ-N5E500BW) Изображение 1 (MZ-N5E500BW) Изображение 2 (MZ-N5E500BW) Изображение 3 (MZ-N5E500BW) Изображение 4 (MZ-N5E500BW) Изображение 5
Оставить отзыв ↓
 
Ещё никто не оставил отзывов к записи.